Toshiba annonce un nouveau prototype de FeRAM, de la mémoire vive ferroélectrique, qui redéfinit les points de référence de cette industrie par sa capacité et sa rapidité.

Dotée d’une capacité de stockage de 128 mégabits et d’une vitesse d’écriture et de lecture de 1,6 gigabytes/seconde, cette nouvelle puce présente la combinaison performance/rapidité annoncée comme étant la plus avancée du marché. Ce nouveau prototype sera présenté cette semaine à San Francisco lors de la conférence internationale 2009 sur les circuits à l’état solide (ISSCC 2009).

Toshiba continuera la recherche et le développement de son prototype pour augmenter sa capacité, et également pour l'utiliser éventuellement dans de nombreuses applications telles la mémoire des téléphones mobiles ou encore la mémoire cache dans les PC portables ou les SSD.

Pour ceux qui veulent en savoir plus, et qui comprennent l'anglais, vous pourrez lire le communiqué complet à cette adresse.